Número de Producto del Fabricante:
TSM120N06LCP ROG
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM120N06LCP ROG-DG
Descripción:
MOSFET N-CHANNEL 60V 70A TO252
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventario:
55476 Pcs Nuevos Originales En Stock
12899924
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ENVIAR
TSM120N06LCP ROG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
70A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
12mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2118 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252 (DPAK)
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
TSM120
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
TSM120N06LCP ROGTR
TSM120N06LCP ROGCT-DG
TSM120N06LCP ROGTR-DG
TSM120N06LCPROGTR
TSM120N06LCP ROGCT
TSM120N06LCPROGDKR
TSM120N06LCP ROGDKR-DG
TSM120N06LCPROGCT
TSM120N06LCP ROGDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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